我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW35N65DM2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找那颗能让您的电源设计既高效又可靠的“核心开关”吗？STW35N65DM2正是您期待的答案。这颗来自意法半导体的650V/32A N沟道MOSFET，凭借其MDmesh DM2先进技术，为您带来低至110毫欧的导通电阻和优化的动态性能，直接助力降低系统损耗，提升整体能效。

它能让您轻松应对高功率密度设计的挑战。高达250W的耗散功率和卓越的开关特性，确保在服务器电源、工业驱动等应用中稳定运行，有效简化散热设计。选择STW35N65DM2，就是选择了一份高效与可靠并重的承诺，让您的产品在市场竞争中脱颖而出。

• 型号:STW35N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 32A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):32A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110毫欧 @ 16A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56.3 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2540 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW35N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。