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还在为电源转换效率难以突破而烦恼吗？STW35N60DM2正是为您而来的高效解决方案。这颗600V/28A的N沟道功率MOSFET，凭借其MDmesh DM2先进技术，能为您大幅降低导通损耗和开关损耗，让您的电源设计轻松实现更高的能效等级，同时减少散热系统的复杂性与成本。

它集低栅极电荷与低输入电容于一身，让驱动设计变得更简单，开关速度更快，系统响应更迅捷。高达210W的功率处理能力和宽广的工作温度范围，确保它在严苛的工业环境中也能稳定运行，为您产品的长期可靠性保驾护航。选择STW35N60DM2，就是选择让您的产品在性能与能效上脱颖而出。

• 型号:STW35N60DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 28A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):28A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:110 毫欧 @ 14A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:210W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW35N60DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。