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还在为高压大电流应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STW34NB20 N沟道功率MOSFET就是您期待的答案。它集200V耐压与34A大电流能力于一身，凭借ST独有的PowerMESH技术，将导通电阻降至极低的75毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行更高效、更凉爽。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松构建高性能的开关电源、UPS或音频功放。其优化的开关特性（栅极电荷仅80nC）确保了快速响应与低开关损耗，帮助您提升整体能效并简化EMI设计。高达180W的功率处理能力和坚固的TO-247封装，为您提供了应对高功率挑战的可靠基石，是追求性能与可靠性的工程师的理想之选。

• 型号:STW34NB20
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 200V 34A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:200 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):34A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:75 毫欧 @ 17A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:180W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW34NB20，ST（意法半导体）产品一站式供应商。