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还在为高压大电流应用的效率与散热问题烦恼吗？让STW32NM50N为您带来变革性的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，拥有500V的漏源电压和22A的连续电流能力，旨在让您的电源转换和电机驱动系统运行得更冷静、更高效。

它通过将导通电阻显著降低至仅130毫欧（最大值），并优化栅极电荷，直接为您大幅削减开关和导通损耗。这意味着，您不仅能轻松提升整体能效，还能有效简化散热设计，降低系统复杂性与成本。其坚固的TO-247封装和高达150°C的工作结温，确保了在严苛环境下的长期可靠运行。

选择STW32NM50N，就是为您的产品注入一颗强劲、可靠且高效的“芯”，让您从容应对功率挑战，专注于实现更卓越的产品性能。

• 型号:STW32NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 500V 22A TO-247
• 包装:管件
• 产品状态:最后售卖
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:62.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1973 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW32NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。