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您正在寻找一颗能高效、可靠驱动半桥电路的“心脏”吗？L6388D013TR正是这样一款专为IGBT和MOSFET设计的半桥栅极驱动器。它集成了独立的高边和低边驱动通道，凭借高达600V的自举电压能力和快速开关特性，让您轻松驾驭电机控制、电源转换等应用中的高压侧驱动挑战。

这颗芯片能为您提供强大的驱动能力（峰值输出达650mA）与出色的抗干扰性（逻辑门槛明确），确保功率开关管快速、干净地动作，从而最大化系统效率与可靠性。其坚固的设计支持宽温工作，采用紧凑的8-SOIC封装，是您打造高性能、高密度功率方案的得力助手。

• 型号:L6388D013TR
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:8-SOIC
• 类目:集成电路（IC） > 电源管理（PMIC） > 栅极驱动器
• 描述:IC GATE DRVR HALF-BRIDGE 8SO
• 系列:-
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• 南皇电子 可编程:未验证
• 驱动配置:半桥
• 通道类型:独立式
• 驱动器数:2
• 栅极类型:IGBT，MOSFET（N 沟道）
• 电压 - 供电:17V（最大）
• 逻辑电压- VIL，VIH:1.1V，1.8V
• 电流 - 峰值输出（灌入，拉出）:400mA，650mA
• 输入类型:反相
• 高压侧电压 - 最大值（自举）:600 V
• 上升/下降时间（典型值）:70ns，40ns
• 工作温度:-40°C ~ 125°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 封装/外壳:8-SOIC（0.154，3.90mm 宽）
• 供应商器件封装:8-SOIC
• L6388D013TR，ST（意法半导体）产品一站式供应商。