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还在为寻找一颗能扛起高电压、大电流重任的“功率核心”而烦恼吗？STW30NM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的耐压和25A的连续电流处理能力，基于ST先进的MDmesh II技术，它能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它意味着您可以用更小的散热设计实现更大的功率输出，轻松应对服务器、工业设备等领域的能效挑战。高达190W的耗散功率和宽温度工作范围，更为您的产品提供了坚实的可靠性保障，让您专注于系统创新，无后顾之忧。

• 型号:STW30NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:91 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2700 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。