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还在寻找那颗能让您的电源或电机驱动方案既强劲又高效的“心脏”吗？STI26NM60N正是为您而来的解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道功率MOSFET，拥有600V的耐压和20A的连续电流处理能力，其核心魅力在于低至165毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的系统运行更凉爽、能效比更高。

它为您简化了驱动设计，10V的标准驱动电压兼容性强，而优化的栅极电荷（Qg）则有助于提升开关速度，减少开关损耗。无论是用于功率因数校正（PFC）、DC-DC转换还是电机控制，它都能让您轻松构建出更高效、更可靠的电路。其坚固的I2PAK通孔封装和高达150°C的结温，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，是提升产品市场竞争力的得力助手。

• 型号:STI26NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:I2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A I2PAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:165 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:I2PAK
• 封装/外壳:TO-262-3 长引线，I2PAK，TO-262AA
• STI26NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。