我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW30NM60D现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能扛起高压大电流重任的“硬核”开关吗？STW30NM60D就是您的理想答案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有600V的坚固耐压和30A的强大电流吞吐能力，专为要求严苛的功率转换场景设计。

它内置先进的MDmesh技术，能为您显著降低导通损耗（Rds(on)低至145mΩ），让您的电源、电机驱动或逆变器系统运行得更凉爽、更高效。高达312W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，让您轻松应对高负荷与复杂环境挑战，大幅提升最终产品的可靠性和能效表现。

• 型号:STW30NM60D
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:145 毫欧 @ 15A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:115 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2520 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30NM60D，ST（意法半导体）产品一站式供应商。