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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的核心开关器件吗？STGWT60H60DLFB正是为此而来。这颗600V、80A的沟槽场截止型IGBT，能轻松胜任电机驱动、电源逆变等应用中的主功率开关角色。其低至2V的导通压降，让您大幅降低系统导通损耗，提升整体能效；而高达375W的功率处理能力和宽泛的工作温度范围，则确保了它在严苛环境下的稳定输出。

更值得一提的是，它优化的开关特性有助于减少开关损耗和电磁干扰，让您的系统设计更高效、更简洁。选择它，就是为您的功率系统注入一颗强劲、可靠的心脏。

• 型号:STGWT60H60DLFB
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 80A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:80 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):240 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2V @ 15V，60A
• 功率 - 最大值:375 W
• 开关能量:626J（关）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:306 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:-/160ns
• 测试条件:400V，60A，5 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT60H60DLFB，ST（意法半导体）产品一站式供应商。