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还在为功率转换系统的效率与发热问题烦恼吗？让STW30N65M5为您带来颠覆性的解决方案。这颗采用先进MDmesh V技术的650V/22A N沟道MOSFET，核心使命就是让您轻松实现高效节能。它通过极低的139毫欧导通电阻，显著降低导通损耗，直接帮助您的电源或电机驱动设备运行得更凉爽、更持久。

同时，它优化的动态性能（如低栅极电荷）确保了快速干净的开关，有效削减开关损耗，让您能在更高频率下工作，进一步提升功率密度和系统响应速度。无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费级产品的极致能效，STW30N65M5都能以其强大的功率处理能力和卓越的热性能（140W耗散），成为您设计中可靠而高效的动力核心，助您轻松攻克能效挑战。

• 型号:STW30N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 22A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):22A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:139 毫欧 @ 11A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:64 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2880 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW30N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。