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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关吗？STF14NM65N正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有650V的坚固耐压和12A的强大电流处理能力，核心采用ST先进的MDmesh II技术，能显著降低导通和开关损耗。

这意味着，在您的开关电源、电机驱动或照明系统中，它能帮助您轻松提升能效，减少热量产生，让系统运行更稳定、更持久。其优化的动态特性，让开关动作快速而干净，助您实现更精简、更高效的设计。选择它，就是为您的产品选择了一份经过验证的高性能与高可靠性保障。

• 型号:STF14NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 12A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:380 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1300 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF14NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。