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还在为寻找一颗能兼顾高耐压与高效率的功率开关而烦恼吗？让意法半导体的STF4N62K3来为您解决难题！这颗采用先进SuperMESH3技术的N沟道MOSFET，拥有高达620V的击穿电压和3.8A的连续电流能力，专为要求严苛的开关应用而设计。

它能为您做什么？它能显著提升您的电源转换效率。得益于仅2欧姆的低导通电阻和优化的动态特性，它能有效降低开关损耗和导通损耗，让您的设备运行更凉爽、更节能。无论是构建紧凑型适配器、高性能LED驱动器，还是可靠的电机控制电路，STF4N62K3都能让您轻松实现高效、稳定的功率管理，大幅提升最终产品的市场竞争力。

• 型号:STF4N62K3
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 620V 3.8A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:620 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3.8A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2 欧姆 @ 1.9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:22 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:550 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:25W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF4N62K3，ST（意法半导体）产品一站式供应商。