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您正在寻找一颗能轻松驾驭600V高压平台、高效处理27A大电流的功率开关吗？STW28NK60Z正是为您而来的解决方案。这颗基于意法半导体先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，以其低至185毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能承受高达350W的功率耗散，确保在重载下的稳定输出，其宽广的工作温度范围（-55°C至150°C）更能让您从容应对各种严苛环境。无论是提升能效、简化散热设计，还是增强系统可靠性，STW28NK60Z都能成为您设计中值得信赖的强力核心，助您轻松构建更卓越的电力电子应用。

• 型号:STW28NK60Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):27A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:185 毫欧 @ 13.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 150A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:264 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:6350 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:350W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28NK60Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。