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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任、同时保持冷静高效的“核心引擎”吗？STW28N65M2正是这样一款解决方案。它集650V高耐压、20A大电流于一身，凭借其仅180毫欧的低导通电阻和优化的35nC栅极电荷，能显著降低开关损耗和传导损耗，让您的电源或电机驱动设计轻松实现更高的能效等级。

这颗采用坚固TO-247封装的功率MOSFET，能帮助您有效管理热能，确保系统在高达150°C的结温下依然稳定运行。无论是用于提升工业设备的可靠性，还是打造更节能的消费类电源，STW28N65M2都能让您的产品性能脱颖而出，高效应对各种严苛挑战。

• 型号:STW28N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:180 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1440 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW28N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。