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还在为电源转换效率不够高而烦恼吗？STW27N60M2-EP正是您期待的答案。这颗N沟道功率MOSFET，拥有600V的坚固耐压和20A的强大电流处理能力，专为 demanding 应用设计。它能轻松驾驭高频开关，显著降低能量损耗，让您的电源、电机驱动或充电设备运行得更凉爽、更高效。

得益于先进的MDmesh M2-EP技术，它实现了极低的导通电阻与优化的动态性能。这意味着，它不仅能帮助您提升整体系统效率，更能简化散热设计，降低系统复杂性和成本。选择它，就是为您的产品选择了经久耐用的可靠心脏，让您轻松应对从工业到能源领域的各种挑战。

• 型号:STW27N60M2-EP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:163 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:33 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW27N60M2-EP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。