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您是否正在为高功率应用寻找一颗既能扛住高压大电流，又能保持高效低损耗的“心脏”？STGWT30V60F正是为此而生。这颗600V/60A的IGBT，凭借其沟槽型场截止技术，能显著降低导通损耗，将高达260W的功率处理得游刃有余，让您的电机驱动、电源转换系统运行得更冷静、更高效。

它不仅仅参数强悍，更注重实际表现。优化的开关特性（开/关延迟仅45ns/189ns）意味着更快的响应速度和更低的开关损耗，让您轻松实现精准的能源控制。其宽泛的工作温度范围（-55°C至175°C）和坚固的TO-3PF封装，确保了即使在最苛刻的工业环境中也能稳定可靠地工作，大幅提升您终端产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STGWT30V60F
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-3P
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > IGBT > 单 IGBT
• 描述:IGBT TRENCH FS 600V 60A TO-3P
• 系列:-
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• IGBT 类型:沟槽型场截止
• 电压 - 集射极击穿（最大值）:600 V
• 电流 - 集电极 (Ic)（最大值）:60 A
• 电流 - 集电极脉冲 (Icm):120 A
• 不同Vge、Ic 时Vce(on)（最大值）:2.3V @ 15V，30A
• 功率 - 最大值:260 W
• 开关能量:383J（导通），233J（关断）
• 输入类型:标准
• 栅极电荷:163 nC
• 25°C 时 Td（开/关）值:45ns/189ns
• 测试条件:400V，30A，10 欧姆，15V
• 反向恢复时间 (trr):-
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 封装/外壳:TO-3P-3，SC-65-3
• 供应商器件封装:TO-3P
• STGWT30V60F，ST（意法半导体）产品一站式供应商。