我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW26NM50现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您正在寻找一颗能同时驾驭高电压与大电流，并保持冷静高效的功率开关吗？STW26NM50正是为此而生。这颗N沟道MOSFET拥有500V的漏源电压和30A的连续电流能力，基于ST先进的MDmesh技术，它能显著降低导通和开关损耗，让您的电源转换或电机驱动系统效率更高，发热更少。

它采用坚固的TO-247-3封装，散热性能优异，结温高达150°C，确保在恶劣环境下也能稳定工作。无论是简化您的热管理设计，还是提升系统的功率密度与可靠性，STW26NM50都能让您轻松应对挑战，是实现高效、紧凑型功率设计的得力助手。

• 型号:STW26NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 30A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):30A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:120 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:106 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3000 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:313W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。