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您正在寻找一颗能大幅提升系统效率、同时节省宝贵电路空间的功率开关吗？STL120N4LF6AG正是这样一款为您量身打造的高性能N沟道MOSFET。它集成了意法半导体先进的STripFET技术，拥有40V耐压和高达120A的电流处理能力，而其核心魅力在于低至3.6毫欧的超低导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉、更高效。

这颗芯片采用紧凑的PowerFlat封装，让您在追求高功率密度的设计中游刃有余。它符合汽车级AEC-Q101标准，具备从-55°C到175°C的宽广工作温度范围，确保在各种严苛环境下稳定可靠。无论是提升电动汽车的续航，还是强化工业设备的动力，STL120N4LF6AG都能让您轻松实现更强劲、更节能的卓越性能。

• 型号:STL120N4LF6AG
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（5x6）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 40V 120A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:40 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:3.6 毫欧 @ 13A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:80 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4260 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:96W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（5x6）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL120N4LF6AG，ST（意法半导体）产品一站式供应商。