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您正在寻找一颗能同时驾驭高效率与高可靠性的功率开关吗？STW26N65DM2正是您的理想之选。这颗基于先进MDmesh DM2技术的N沟道MOSFET，拥有650V的耐压和20A的连续电流能力，其核心价值在于将导通电阻降至仅190毫欧，能显著降低导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

它卓越的开关特性（低栅极电荷Qg）让您能轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，提升功率密度。无论是面对工业环境的严苛挑战，还是追求消费级产品的能效标杆，STW26N65DM2都能以稳定的性能和TO-247封装带来的强大散热能力，为您的产品保驾护航，助您轻松赢得市场先机。

• 型号:STW26N65DM2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 20A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35.5 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:170W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW26N65DM2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。