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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流开关重任的“核心引擎”吗？STP16NS25正是这样一款为您而生的功率MOSFET。它拥有250V的漏源电压和16A的连续电流能力，让您在设计开关电源、电机控制或照明驱动时，能够轻松实现高效、可靠的功率切换。

这颗芯片采用先进的MESH OVERLAY技术，导通电阻极低，能显著减少功率损耗，提升整体系统效率。其坚固的TO-220AB封装和宽广的工作温度范围，确保它在各种挑战性环境中都能稳定运行，为您省去对可靠性的后顾之忧。选择它，就是为您的产品注入一份经久耐用的动力源泉。

• 型号:STP16NS25
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 250V 16A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:250 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:280 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:83 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1270 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP16NS25，ST（意法半导体）产品一站式供应商。