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还在寻找能够扛起高效功率转换重任的核心开关吗？STW25NM60N正是您值得关注的经典之选。这颗采用MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有600V/21A的强悍规格，旨在让您轻松应对工业电源、电机驱动等应用中的高压大电流挑战。

它的魅力在于卓越的效能平衡。仅160毫欧的低导通电阻，能显著减少功率损耗，直接提升系统整体效率。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您的驱动电路设计更高效，系统运行更稳定可靠。虽然已停产，但其经典设计在要求高可靠性的存量市场中依然价值非凡。

• 型号:STW25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW25NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。