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还在为高压大电流开关应用的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？STP20NM50FD正是为您量身打造的解决方案。这颗来自意法半导体FDmesh家族的N沟道MOSFET，集500V高耐压与20A大电流能力于一身，其核心使命就是让您的功率转换系统运行得更冷静、更高效。

它凭借低至250毫欧的导通电阻，显著降低导通损耗，直接提升您的系统整体能效。同时，优化的动态参数让开关过程干净利落，进一步减少能量浪费。无论是构建紧凑型电源，还是驱动高性能电机，STP20NM50FD都能让您轻松应对挑战，实现更可靠、更节能的设计。

• 型号:STP20NM50FD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 20A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1380 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:-65°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP20NM50FD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。