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您正在寻找一颗能扛起高效能量转换重任的“核心引擎”吗？STW24NM65N正是为此而生。这颗650V/19A的N沟道MOSFET，采用ST先进的MDmesh II技术，能为您大幅降低导通损耗，将更多电能高效输送到负载端，从而显著提升电源、电机驱动等系统的整体效率。

它让您轻松应对热管理挑战。极低的Rds(on)特性配合TO-247-3封装出色的散热能力，有效减少了热量积聚，使您的系统运行更凉爽、更稳定。同时，其优化的开关特性有助于简化驱动电路设计，让您能够更高效地实现高性能的功率转换方案，专注于核心功能的创新。

• 型号:STW24NM65N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 19A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):19A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 9.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:70 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2500 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24NM65N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。