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还在为电源路径上的效率瓶颈而困扰吗？STL10N3LLH5 N沟道MOSFET正是为您的高效设计而生。它能让您轻松驾驭高达9A的电流，同时凭借其惊人的低导通电阻（最低19毫欧），大幅削减传导损耗，将更多电能精准输送到负载端，而非浪费在发热上。

这颗芯片能为您做什么？它能让您的DC-DC转换器、电机驱动或负载开关电路运行得更凉、更快、更可靠。其优化的栅极驱动特性（仅需4.5V即可实现低导通）和超低的栅极电荷，让开关动作干净利落，显著提升系统频率和响应速度。采用节省空间的PowerFlat封装，它帮助您在追求功率密度的道路上扫清障碍，是打造下一代紧凑型、高性能电子设备的理想选择。

• 型号:STL10N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 30V 9A POWERFLAT
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):9A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:19 毫欧 @ 4.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:2.5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:6 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:900 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:2W（Ta），50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（3.3x3.3）
• 封装/外壳:8-PowerVDFN
• STL10N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。