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您正在寻找一颗能扛起高功率转换重任的“实力派”MOSFET吗？STW24NK55Z正是为您而来。这颗来自ST意法半导体SuperMESH系列的N沟道MOSFET，拥有550V的漏源电压和23A的连续电流能力，让您在设计服务器电源、工业驱动或UPS系统时，轻松应对高压大电流的严苛挑战。

它的核心价值在于卓越的效率。仅220毫欧的最大导通电阻，能显著降低导通损耗，将更多电能高效输送给负载，而非转化为无用的热量。同时，优化的栅极电荷和开关特性，助力您实现更快的开关频率和更低的电磁干扰，让整个电源系统运行得更安静、更高效。选择它，就是为您的产品选择了强劲的心脏和持久的耐力。

• 型号:STW24NK55Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 23A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):23A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 11.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:130 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:4397.5 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:285W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW24NK55Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。