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您正在寻找一颗能扛起大电流、同时保持冷静高效的功率开关吗？STP140NF55正是您的理想选择。这颗N沟道MOSFET能轻松处理高达80A的连续电流，其核心价值在于极低的导通电阻（仅8毫欧），能显著减少导通损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉快、更高效。

它基于STripFET II技术，开关性能优异，栅极电荷（Qg）控制得当，有助于提升开关频率并降低驱动损耗。无论是用于提升现有设计的效率，还是满足特定高可靠性应用的需求，STP140NF55都能以强大的功率处理能力（300W）和宽温工作范围，为您提供稳定可靠的支持。

• 型号:STP140NF55
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:不适用于新设计
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:55 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):80A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:8 毫欧 @ 40A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:142 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5300 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:300W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP140NF55，ST（意法半导体）产品一站式供应商。