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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STL36N60DM6为您带来颠覆性的解决方案。这颗采用ST先进MDmesh DM6技术的600V/15A MOSFET，拥有惊人的215毫欧超低导通电阻，能显著降低开关损耗，让您的电源系统运行得更凉爽、更高效。

它集成了多项优势于一身：极低的栅极电荷确保快速开关，减少驱动损耗；优化的PowerFlat HV封装提供出色的散热性能，节省宝贵空间。无论是提升工业驱动器的可靠性，还是打造紧凑高效的服务器电源，它都能让您轻松实现更高的功率密度和能效等级，直接提升终端产品的市场吸引力。

• 型号:STL36N60DM6
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:PowerFlat（8x8）HV
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 15A PWRFLAT HV
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):15A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:215 毫欧 @ 7.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.75V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:24 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:940 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:PowerFlat（8x8）HV
• 封装/外壳:4-PowerVDFN
• STL36N60DM6，ST（意法半导体）产品一站式供应商。