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您正在寻找一颗能扛起高压大电流重任、同时保持冷静高效的“能量开关”吗？STP30NM60ND正是为此而生！这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和25A的强大电流吞吐能力，专为要求严苛的功率转换场景打造。

它的核心价值在于让您的系统运行得更“轻松”。极低的导通电阻意味着电流通过时产生的热量更少，电能损耗大幅降低；而优化的开关特性则助力实现更快、更干净的开关动作，从而提升整体效率。无论是驱动电机、转换电源还是管理能量，它都能帮助您构建出更可靠、更节能的解决方案，显著提升终端产品的市场竞争力。

• 型号:STP30NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 25A TO220AB
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):25A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:130 毫欧 @ 12.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:100 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220
• 封装/外壳:TO-220-3
• STP30NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。