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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静高效的功率开关吗？STW22NM60N正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和16A的强大电流输送能力，其核心价值在于它能显著降低您在电源转换或电机控制中的能量损耗。

凭借其MDmesh II技术带来的仅220毫欧的低导通电阻，它能极大减少导通状态下的发热，让您的系统运行更凉爽、效率更高。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您能轻松实现更高频率的设计，提升功率密度和动态响应。简而言之，STW22NM60N能让您以更低的损耗、更高的可靠性，轻松驾驭从工业电源到电机驱动等各种高压应用挑战。

• 型号:STW22NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):16A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:44 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW22NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。