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您正在寻找一颗能扛起高电流、低损耗重任的功率开关吗？STW220NF75正是这样一款为高效能量转换而生的N沟道MOSFET。它拥有75V的漏源电压和高达120A的连续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著减少开关过程中的功率损耗，让您的电源或电机驱动系统运行得更高效、更凉爽。

这颗芯片采用成熟的STripFET II技术，确保了出色的开关性能和可靠性。无论是应对工业驱动中的瞬间大电流，还是提升电源模块的整体能效，它都能提供稳定强悍的支持。虽然产品状态已标注为停产，但其经典的性能参数在特定维护、升级或延续性设计中依然具有重要价值，是保障系统长期稳定运行的可靠选择之一。

• 型号:STW220NF75
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 75V 120A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:75 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):120A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:4.4 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:430 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:12500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:500W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW220NF75，ST（意法半导体）产品一站式供应商。