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还在为功率开关的效率瓶颈而困扰吗？STD65N3LLH5正是您提升系统能效的得力助手。这颗N沟道MOSFET拥有65A的强大电流承载能力和低至6.9毫欧的导通电阻，能显著降低导通损耗，让您的电源转换或电机驱动应用运行得更凉爽、更高效。

它专为30V及以下电压平台优化，仅需4.5V的低驱动电压即可充分发挥性能，让您轻松搭配各类控制器。其出色的热性能（最大功耗50W）和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C），确保了在苛刻环境下的稳定运行。选择它，就是为您的设计注入了意法半导体STripFET V技术的可靠基因。

• 型号:STD65N3LLH5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N CH 30V 65A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:30 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):65A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:4.5V，10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:6.9 毫欧 @ 32.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:3V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:8 nC @ 4.5 V
• Vgs（最大值）:±22V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1290 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:50W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD65N3LLH5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。