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还在为功率转换效率难以提升而烦恼吗？让STW21NM60ND来为您解决！这颗N沟道MOSFET是您实现高效电能控制的得力助手。它拥有600V的高压耐受能力和17A的强劲电流吞吐量，能轻松应对服务器电源、工业驱动等严苛应用。

其核心价值在于卓越的性能参数：极低的导通电阻能大幅减少导通损耗，而优化的栅极电荷则确保了快速、高效的开关动作，从而整体提升系统能效。同时，坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围，让您无需担心可靠性与散热问题。选择它，就是选择让您的设计更高效、更稳健、更具竞争力。

• 型号:STW21NM60ND
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:220 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:60 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1800 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:140W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW21NM60ND，ST（意法半导体）产品一站式供应商。