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还在为高电压应用中的开关损耗和温升问题烦恼吗？STW21N90K5正是为您而来的解决方案。它集成了意法半导体先进的SuperMESH5技术，在900V的高压下，导通电阻（RdsOn）低至惊人的299毫欧，同时栅极电荷（Qg）也得到优化。这意味着它能显著降低导通和开关过程中的能量损失，让您的电源或电机驱动系统运行得更凉爽、更高效。

这颗强大的N沟道MOSFET，能轻松承载18.5A的连续电流，并拥有高达250W的功率处理能力。它让您在设计大功率转换器、PFC电路或逆变器时，可以更加从容地应对高功率密度挑战。其坚固的TO-247封装和宽泛的工作温度范围，确保了卓越的可靠性和长寿命，是您打造高性能、高可靠性产品的理想基石。

• 型号:STW21N90K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 900V 18.5A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:900 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18.5A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:299 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:43 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1645 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW21N90K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。