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您正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持冷静与高效的功率开关吗？STW21N65M5正是为此而生。这颗采用ST先进MDmesh V技术的650V N沟道MOSFET，能轻松承载高达17A的连续电流，其低至190毫欧的导通电阻，直接为您带来更低的传导损耗，意味着更高的电源转换效率和更少的发热，让您的设备运行更凉爽、更持久。

它不仅仅参数亮眼，更致力于让您的设计工作事半功倍。优化的动态性能（如栅极电荷）让驱动设计更简易，而坚固的TO-247-3封装和150°C的高结温能力，则提供了强大的功率处理能力和散热余量。无论是提升工业电源的功率密度，还是增强电机驱动的可靠性，STW21N65M5都能成为您电路中高效、可靠的能量控制核心，助您轻松构建性能卓越的电力电子系统。

• 型号:STW21N65M5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 17A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• STW21N65M5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。