我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB23NM50N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在为高压应用中的功率损耗和散热问题烦恼吗？STB23NM50N就是您的高效解决方案。这颗采用先进MDmesh II技术的N沟道MOSFET，拥有500V的耐压和17A的电流承载能力，其核心魅力在于极低的导通电阻（仅190毫欧@10V）。这意味着它能大幅减少导通时的能量浪费，让您的电源或电机驱动系统运行得更“冷静”，整体能效显著提升。

它专为要求苛刻的开关应用而优化。出色的栅极电荷（45nC）与输入电容特性，确保了快速、干净的开关动作，帮助您轻松实现更高频率的设计，从而缩小磁性元件体积，让产品更紧凑。高达125W的功率耗散能力和150°C的结温工作范围，赋予了它卓越的可靠性，即使在严酷环境下也能稳定工作。

无论是打造高效的服务器电源、强劲的工业电机驱动器，还是可靠的充电桩，STB23NM50N都能成为您设计中值得信赖的功率开关核心。选择它，就是选择了意法半导体的品质与性能保障，让您的产品在竞争中轻松赢得优势。

• 型号:STB23NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 17A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):17A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:190 毫欧 @ 8.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:45 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1330 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:125W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB23NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。