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您正在寻找一颗能扛起大电流、高效节能重任的功率开关吗？STB120NF10T4正是为您而来！这颗来自意法半导体的N沟道MOSFET，凭借其100V/110A的强悍规格，能轻松成为您大功率DC-DC转换、电机驱动或电源开关电路中的核心支柱。

它采用先进的STripFET II技术，实现了惊人的低导通电阻（仅10.5毫欧），这意味着更低的传导损耗和更高的系统效率，直接帮您节省能源、减少发热。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让您的设计可以实现更高的工作频率，从而选用更小体积的被动元件，助力打造更紧凑、更轻量化的终端产品。

无论是面对工业环境的严酷考验，还是追求消费电子的高效精致，STB120NF10T4的D2PAK封装和宽广的工作温度范围（-55°C ~ 175°C）都提供了坚实的可靠性保障。选择它，就是选择了一份让设计更省心、让性能更出众的承诺。

• 型号:STB120NF10T4
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:100 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):110A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:10.5 毫欧 @ 60A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:233 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±20V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:5200 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:312W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 175°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB120NF10T4，ST（意法半导体）产品一站式供应商。