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您是否正在为寻找一颗能在高压下稳定工作、同时兼顾效率与成本的功率开关而烦恼？STD4NK50ZD-1正是为您而来的解决方案。这颗采用SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有500V的高耐压和3A的电流处理能力，让您在设计开关电源、照明驱动或电机控制电路时，能够轻松应对高压环境，显著提升系统的整体可靠性和能效。

它通过优化的2.7欧姆导通电阻和低至12nC的栅极电荷，有效降低了导通与开关过程中的能量损耗。这意味着您的设备运行更凉爽，效率更高，寿命更长。其坚固的I-PAK通孔封装确保了出色的散热性能和机械稳定性，让您的产品在各种严苛环境下都能保持高效稳定的输出。

• 型号:STD4NK50ZD-1
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:IPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 3A IPAK
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.7 欧姆 @ 1.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 50A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:12 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:310 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:45W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:IPAK
• 封装/外壳:TO-251-3 短引线，IPAK，TO-251AA
• STD4NK50ZD-1，ST（意法半导体）产品一站式供应商。