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您正在寻找一颗能同时兼顾高效率、高可靠性与强大驱动能力的功率开关吗？STW20NM60正是为此而生。这颗采用意法半导体先进MDmesh技术的N沟道MOSFET，拥有600V/20A的强悍规格，其极低的导通电阻能显著减少开关损耗，让您的电源、电机驱动或照明系统运行得更凉爽、更高效。

它不仅能轻松处理严苛的功率转换任务，其优化的栅极电荷和坚固的TO-247封装，更确保了快速开关响应与出色的散热性能。选择STW20NM60，就是为您的产品注入了持久稳定的动力核心，让设计更简单，让性能更卓越。

• 型号:STW20NM60
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:290 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:54 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1500 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:192W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM60，ST（意法半导体）产品一站式供应商。