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还在寻找一颗能兼顾高效能与高可靠性的中功率开关管吗？STF9NK60ZD正是为您而来的解决方案。这颗N沟道MOSFET拥有600V的坚固耐压和7A的强大电流处理能力，其核心价值在于运用了ST先进的SuperFREDmesh技术，能显著降低导通和开关损耗。

这意味着，在您的开关电源、电机驱动或照明应用中，它可以轻松提升整体能效，让系统运行更凉爽、更稳定。其优化的动态参数和TO-220FP封装，让您在设计散热和布局时更加得心应手，高效实现产品性能升级。

• 型号:STF9NK60ZD
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 7A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):7A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:950 毫欧 @ 3.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:53 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1110 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STF9NK60ZD，ST（意法半导体）产品一站式供应商。