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在追求极致能效的电源世界里，您是否渴望一颗既能承受高压大电流冲击，又能将导通损耗降至最低的“硬核”开关？STW20NM50正是为此而生。它集成了ST先进的MDmesh技术，为您带来高达550V的击穿电压和20A的电流处理能力，而其核心优势在于极低的导通电阻，能显著减少功率损耗，让您的电源转换系统运行得更凉爽、更高效。

这颗芯片能为您做什么？它能让您轻松驾驭服务器电源、工业电机驱动、UPS等高压大功率应用场景。优异的开关特性和低栅极电荷设计，有助于提升开关频率，优化系统动态响应。其坚固的TO-247封装和强大的散热能力，确保了在严苛环境下的长期稳定运行，让您在设计高可靠性产品时信心倍增。

• 型号:STW20NM50
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 550V 20A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:550 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):20A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:250 毫欧 @ 10A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:56 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:214W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20NM50，ST（意法半导体）产品一站式供应商。