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在追求极致能效的今天，您是否在为寻找一颗既能承受高压冲击又能保持低温高效运行的功率开关而烦恼？STW20N95DK5正是为您而来的解决方案。这颗基于先进MDmesh DK5技术的N沟道MOSFET，拥有950V的惊人耐压和18A的连续电流能力，让您在设计大功率开关电源、电机控制和太阳能逆变器时，轻松应对高电压应力，同时享受低至330毫欧的导通电阻带来的高效能与低损耗。

它不仅仅是一个开关，更是您系统效率的守护者。优化的动态参数（如低栅极电荷）确保了快速、干净的开关切换，显著降低开关损耗和电磁干扰，让您的产品运行更安静、更可靠。其坚固的TO-247封装和宽广的工作温度范围（-55°C至150°C），为您提供强大的散热能力和环境适应性，确保在各种严苛条件下稳定工作，大幅提升终端产品的耐用性和市场竞争力。

• 型号:STW20N95DK5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 950V 18A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:950 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):18A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:330 毫欧 @ 9A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:50.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1600 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:250W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW20N95DK5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。