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还在为高压应用的效率瓶颈和散热难题烦恼吗？让STD4LN80K5为您带来改变！这颗基于意法半导体先进MDmesh K5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的高耐压和3A的电流处理能力，旨在让您的电源设计更高效、更可靠。

它极低的导通电阻和栅极电荷特性，能显著降低开关损耗和导通损耗，从而提升整体能效，让您的设备运行更凉爽、更节能。采用坚固的DPAK表面贴装封装，它不仅能节省电路板空间，还能轻松融入自动化生产线，助您快速实现产品量产。选择STD4LN80K5，就是选择了一个让设计更简单、让性能更出众的强力引擎。

• 型号:STD4LN80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:DPAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CHANNEL 800V 3A DPAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):3A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:2.6 欧姆 @ 1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:3.7 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:122 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:DPAK
• 封装/外壳:TO-252-3，DPAK（2 引线 +耳片），SC-63
• STD4LN80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。