我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STW19NM60N现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

您是否正在寻找一颗能在600V高压下稳定工作，同时又能大幅提升系统效率的“心脏”级功率开关？STW19NM60N正是您期待的答案。这颗N沟道MOSFET拥有13A的连续电流能力，其核心的MDmesh II技术让导通电阻低至惊人水平，配合极低的栅极电荷，能显著降低开关损耗和驱动需求，让您的电源或电机驱动设计事半功倍。

它不仅仅参数亮眼，更具备卓越的可靠性。作为通过AEC-Q101认证的汽车级产品，它能在-55°C到150°C的严酷温度范围内稳定工作，确保您的应用无论是面对车载环境的振动，还是工业现场的持续高温，都能从容应对。选择它，就是为您的产品选择了高效、冷静与持久的卓越基因。

• 型号:STW19NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 13A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):13A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:285 毫欧 @ 6.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:35 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1000 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:110W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:汽车级
• 资质:AEC-Q101
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW19NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。