我们为全球各个行业提供ST（意法半导体） STB6N65M2现货供应及技术资料下载，帮助客户快速、高效地完成各项工作并将产品推向市场。

还在寻找一颗能兼顾高电压与高效率的“心脏”吗？STB6N65M2 N沟道功率MOSFET正是为您而来。它凭借650V的漏源电压和仅1.35欧姆的低导通电阻，让您在处理高达4A电流时，也能大幅降低导通损耗，轻松提升系统能效。

这颗芯片采用ST先进的MDmesh技术，开关特性优异，栅极电荷低至9.8nC，能实现快速、干净的开关动作，有效减少开关损耗和电磁干扰。其坚固的D2PAK封装提供了出色的散热能力，确保在高达150°C的结温下仍能稳定工作，让您的电源适配器、电机驱动或照明系统设计更紧凑、运行更可靠、寿命更长久。

• 型号:STB6N65M2
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-263（D2PAK）
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 650V 4A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:650 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):4A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.35 欧姆 @ 2A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:9.8 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:226 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:60W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:TO-263（D2PAK）
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB6N65M2，ST（意法半导体）产品一站式供应商。