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您是否正在寻找一颗能扛起高压、大电流重任，同时保持高效冷静的功率开关？STB25NM60N正是为此而生！这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，拥有高达600V的漏源电压和21A的连续电流处理能力，让您在设计电机驱动、开关电源或PFC电路时信心十足。

它的核心魅力在于MDmesh II技术带来的超低导通电阻（仅160毫欧），这意味着更少的导通损耗和发热，直接提升您的系统整体效率。同时，优化的栅极电荷和开关特性，让驱动设计更简单，开关动作更迅速利落，进一步降低能量损耗。其坚固的D2PAK封装和高达150°C的结温工作能力，确保了在严苛环境下依然稳定可靠，让您的产品性能强劲，寿命长久。

• 型号:STB25NM60N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:D2PAK
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 600V 21A D2PAK
• 包装:卷带（TR）
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:600 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):21A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:160 毫欧 @ 10.5A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:84 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2400 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:160W（Tc）
• 工作温度:150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:表面贴装型
• 供应商器件封装:D2PAK
• 封装/外壳:TO-263-3，D2PAK（2 引线 + 凸片），TO-263AB
• STB25NM60N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。