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还在为高压开关应用的效率瓶颈和可靠性担忧吗？STP8NK80ZFP正是为您而来的解决方案。这颗来自ST意法半导体的N沟道MOSFET，集成了先进的SuperMESH技术，拥有800V的高压耐受能力和6.2A的强劲电流输出，让您轻松驾驭开关电源、电机控制等高要求场景。

它的卓越之处在于，能在10V驱动电压下实现极低的导通电阻（仅1.5欧姆@3.1A）和栅极电荷（仅46nC），这意味着更少的能量损耗和更快的开关速度。这不仅直接提升了您的系统整体能效，还能显著降低发热，让您的产品运行更凉爽、更稳定。其TO-220FP封装确保了出色的散热性能，配合宽广的工作温度范围（-55°C ~ 150°C），为您提供持久可靠的动力核心。

• 型号:STP8NK80ZFP
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-220FP
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 6.2A TO220FP
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):6.2A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:1.5 欧姆 @ 3.1A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:46 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1320 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:30W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-220FP
• 封装/外壳:TO-220-3 整包
• STP8NK80ZFP，ST（意法半导体）产品一站式供应商。