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STD20NF06LAG 零件图片(仅供参考)

STD20NF06LAG
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STD20NF06LAG 规格参数

您是否希望为您的电源管理或电机驱动应用找到一颗动力澎湃且运行冷静的“心脏”?STD20NF06LAG正是您期待的答案。这颗来自ST意法半导体的汽车级N沟道MOSFET,拥有60V耐压和高达24A的电流处理能力,其核心魅力在于采用先进的STripFET II技术,实现了惊人的低导通电阻(仅40毫欧@10V)。这意味着它能大幅降低开关和传导过程中的能量损耗,直接提升您的系统效率,并让散热设计变得更加轻松。

更令人心动的是,它具备5V的低阈值驱动电压,让您的控制电路设计更为简单灵活;同时,极低的栅极电荷确保了快速的开关响应,非常适合高频应用。从工业自动化到汽车电子,这颗高效、可靠的芯片都能让您的产品性能脱颖而出,稳定运行于各种挑战性环境之中。

  • 型号:STD20NF06LAG
  • 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
  • 封装:TO-252(DPAK)
  • 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 描述:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK
  • 包装:卷带(TR)
  • 产品状态:在售
  • FET 类型:N 通道
  • 技术:MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss):60 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):24A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On):5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值):40 毫欧 @ 12A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值):2.5V @ 250A
  • 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)(最大值):13 nC @ 5 V
  • Vgs(最大值):±18V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值):660 pF @ 25 V
  • FET 功能:-
  • 功率耗散(最大值):60W(Tc)
  • 工作温度:-55°C ~ 175°C(TJ)
  • 等级:汽车级
  • 资质:AEC-Q101
  • 安装类型:表面贴装型
  • 供应商器件封装:TO-252(DPAK)
  • 封装/外壳:TO-252-3,DPAK(2 引线 +耳片),SC-63
  • STD20NF06LAG,ST(意法半导体)产品一站式供应商。
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STD20NF06LAG 基本参数:

  • 电子零件型号:STD20NF06LAG
  • 原始制造厂商:ST(意法半导体,STMicroelectronics)
  • 技术标准参数:MOSFET N-CHANNEL 60V 24A DPAK
  • 产品应用分类:分立半导体产品 > 晶体管 > FET,MOSFET > 单 FET,MOSFET
  • 点击此处查询STD20NF06LAG的技术规格手册Datasheet(PDF文件)
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