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还在为高压大电流应用的效率瓶颈寻找突破口吗？STW15N80K5正是您期待的答案。这颗基于先进SuperMESH5技术的N沟道MOSFET，拥有800V的坚固耐压和14A的强劲电流处理能力，专为挑战高效功率转换而设计。

它的核心魅力在于卓越的性能平衡：极低的导通电阻（仅375mΩ）大幅削减导通损耗，而优化的栅极电荷（32nC）则确保了迅猛的开关速度。这意味着，您能轻松构建出效率更高、发热更少、频率更高的电源系统。无论是提升现有产品的能效等级，还是开发下一代紧凑型电源，它都能让您的设计游刃有余，可靠应对从工业电源到新能源设备的各类严苛场景。

• 型号:STW15N80K5
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 14A TO247
• 包装:管件
• 产品状态:在售
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):14A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:375 毫欧 @ 7A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:32 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:1100 pF @ 100 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:190W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW15N80K5，ST（意法半导体）产品一站式供应商。