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您正在寻找一颗能大幅提升电源效率、让系统运行更凉爽的功率开关吗？STW13NM50N正是您的理想之选。这颗来自意法半导体MDmesh II家族的N沟道MOSFET，拥有500V高压和12A电流处理能力，其核心魅力在于极低的320毫欧导通电阻，能显著减少能量损耗，直接为您带来更高的转换效率和更低的温升。

它能让您的设计轻松应对工业电源、电机驱动等高频开关场景。优异的栅极电荷（Qg）和输入电容（Ciss）特性，确保了快速干净的开关动作，让系统响应更迅捷，运行更平稳。高达100W的功率耗散能力和坚固的TO-247封装，则为您提供了强大的散热余量和可靠的物理保障。

• 型号:STW13NM50N
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 500V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:500 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:320 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4V @ 250A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:30 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±25V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:960 pF @ 50 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:100W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NM50N，ST（意法半导体）产品一站式供应商。