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还在为高压电源设计的效率瓶颈和散热难题而烦恼吗？让STW13NK80Z为您带来颠覆性的解决方案。这颗基于先进SuperMESH技术的N沟道MOSFET，拥有800V的强悍耐压和12A的持续电流处理能力，核心优势在于其极低的导通电阻，能显著减少开关损耗，让您的系统运行更凉爽、更高效。

它专为 demanding 应用而优化，无论是构建紧凑型工业电源，还是打造高可靠性的UPS系统，STW13NK80Z都能让您轻松应对。其优化的栅极电荷和输入电容特性，确保了快速干净的开关动作，有助于简化您的驱动电路设计。选择它，就是选择了一个经久耐用、性能卓越的动力核心，助您轻松提升产品竞争力。

• 型号:STW13NK80Z
• 品牌:STMicroelectronics (ST,意法半导体)
• 封装:TO-247-3
• 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
• 描述:MOSFET N-CH 800V 12A TO247-3
• 包装:管件
• 产品状态:停产
• FET 类型:N 通道
• 技术:MOSFET（金属氧化物）
• 漏源电压（Vdss）:800 V
• 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):12A（Tc）
• 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:10V
• 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:650 毫欧 @ 6A，10V
• 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:4.5V @ 100A
• 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:155 nC @ 10 V
• Vgs（最大值）:±30V
• 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:3480 pF @ 25 V
• FET 功能:-
• 功率耗散（最大值）:230W（Tc）
• 工作温度:-55°C ~ 150°C（TJ）
• 等级:-
• 资质:-
• 安装类型:通孔
• 供应商器件封装:TO-247-3
• 封装/外壳:TO-247-3
• STW13NK80Z，ST（意法半导体）产品一站式供应商。